次世代半導体材料であるSiC、GaN、ダイヤモンドを用いた結晶基板の研究開発を行っています。これらの材料は、従来のシリコンよりも優れた性能を持つ一方で、非常に硬く化学的に安定であるため、効率的な加工技術が確立されていません。そこで基板加工技術の開発を通じて、これらの材料の実用化に貢献することを目指しています。また、ダイヤモンドについては、半導体デバイスに必要な大型の単結晶を得ることが困難であるため、結晶成長技術にも注力し、高品質な大型基板の作製に取り組んでいます。

次世代を担うオプトエレクトロニクス単結晶材料