本研究室では半導体用結晶基板の研究を行っています。現在主流の半導体材料のSiよりも性能向上が見込まれるSiCやGaN、また究極の半導体材料として期待されるダイヤモンドは、硬く、化学的に安定なことから効率的な加工法が確立できていません。そこで基板加工技術を開発し、実用化への貢献を目指しています。またダイヤモンドは半導体デバイスとして必要な大きさの単結晶を得ることが難しいという課題もあることから、ダイヤモンドを結晶成長させ高品質な大型基板を作ることにも取り組んでいます。